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IBM和AMD开发出新DSL 处理器大战再度升级
http://digi.qq.com 2004年12月 14日 enet硅谷动力 

  日前IBM和AMD公司表示,已经设计出全新的straining silicon技术DualStressLiners,简称为DSL。该技术在提升芯片的性能同时降低了负责度。尽管已经有使用该技术的芯片产品问市,但是两家公司将在明年第一季度推出的90纳米芯片产品中使用DSL技术。

  据早期的数据,DSL技术能够将芯片中晶体管的性能提升24个百分点,而且使用这一技术并不会降低合格芯片产品的数量,无疑DSL是一种有效的技术。

  DSL技术将使IBM、AMD和英特尔之间的处理器大战再度升级。英特尔在其目前销售的90纳米芯片中采用了类似于DSL的strainingsilicon技术,并且将在今年底面市的65纳米芯片产品中使用改进版本的strainingsilicon技术。英特尔表示,这一改进版本的strainingsilicon技术将使芯片中的晶体管性能提升百分之30。

  英特尔、IBM和AMD公司将于这周在旧金山举行的国际电子设备大会上公布其straining silicon技术的细节。

  Strainedsilicon技术涉及到如何合理排列硅原子,以使电流能够更快地在晶体管中流动。更快的晶体管能够提高芯片的速度以及降低其功耗。

  目前大多数公司的Strainedsilicon技术是在晶体管的下面插入一层锗材料。然而这种方式过于昂贵和复杂。而DSL技术采用了另外一种介质,它不仅容易实现,而且成本低廉。

  AMD已经在其最新的AthlonFX芯片中使用了该技术,这是130纳米的芯片产品。不过明年第一季度,AMD和IBM将推出基于DSL技术的90纳米芯片产品。

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